Конкретное применение зеленого карбида кремния в промышленности волоконно-оптического коммуникационного оборудования
Благодаря своим уникальным физическим и химическим свойствам зеленый карбид кремния в основном используется для высокоточной обработки основных компонентов и производства полупроводниковых приборов в промышленности волоконно-оптического коммуникационного оборудования. Конкретные сценарии применения следующие:
1. Поддержка производства полупроводниковых приборов
Прецизионное шлифование поверхности пластины Порошок
зеленого карбида кремния используется для резки и шлифования полупроводниковых пластин (таких как кремний, арсенид калия и кристаллы кварца). Его высокая твердость и точный контроль размера частиц позволяют эффективно удалять поврежденный слой на поверхности пластины и достигать субмикронной плоскостности, закладывая основу для таких процессов, как литография и травление. Это имеет решающее значение для надежности оптических чипов и интегральных схем в волоконно-оптическом коммуникационном оборудовании.
Обработка подложек электронных компонентов
Высокочистый зеленый карбид кремния может использоваться в качестве полупроводникового материала для непосредственного производства электронных компонентов, таких как диоды и транзисторы. Его высокая теплопроводность и стабильность улучшают производительность устройства при высокоскоростной обработке сигналов и подходят для схем управления в оптических модулях.
2. Оптимизация обработки оптических волоконных компонентов
Полировка оптических компонентов
Зеленый порошок карбида кремния используется для сверхточной полировки оптических компонентов, таких как торцевые поверхности оптоволоконных разъемов, линзы и призмы. Контролируя шероховатость поверхности, он снижает потери на рассеяние оптических сигналов и обеспечивает низкие характеристики затухания передачи оптоволоконной связи.
Изготовление керамических структурных деталей
В оптических приемопередающих модулях зеленая карбидкремниевая керамика используется в качестве основы для лазерной упаковки и компонентов рассеивания тепла благодаря своей высокой термостойкости и коррозионной стойкости, что обеспечивает стабильность сигнала в условиях высоких температур.
3. Повышение производительности коммуникационного оборудования.
Улучшение теплоотвода высокочастотных устройств.
Зелёные подложки из карбида кремния (например, полуизолирующие подложки SiC) поддерживают эпитаксиальный рост нитрида галлия (GaN) и используются для производства высокочастотных устройств, таких как усилители мощности ВЧ базовых станций 5G. Их высокая теплопроводность значительно повышает эффективность теплоотвода и снижает падение производительности, вызванное перегревом оборудования.
Применение модулей преобразования энергии .
Экологичные силовые устройства на основе карбида кремния (например, SiC MOSFET) используются в системах электропитания связи для снижения потерь энергии за счёт эффективного преобразования энергии и повышения энергоэффективности таких объектов, как центры обработки данных и базовые станции.
Основные характеристики и отраслевая ценность.
Функции | Значение приложения |
Высокая твердость | Реализовать нанопрецизионную обработку пластин/оптических компонентов и снизить уровень дефектов устройств |
Отличная теплопроводность | Решить проблему рассеивания тепла в высокочастотных устройствах и продлить срок службы оборудования |
Химическая стабильность | Выдерживать коррозионную среду процесса и обеспечивать выход годных изделий при производстве полупроводников |
Управляемые электрические характеристики | Непосредственно используется в высоконадежных полупроводниковых приборах для поддержки эффективности обработки оптических сигналов связи. |
Зелёный карбид кремния стал ключевым материалом, обеспечивающим высокую производительность и миниатюризацию оптоволоконного коммуникационного оборудования, повышая точность обработки, эффективность теплоотвода и надёжность основных компонентов. Его технические преимущества, особенно в таких областях, как базовые станции 5G и оптические модули центров обработки данных, напрямую связаны с энергоэффективностью системы и качеством сигнала.